企业简介
苏州能讯高能半导体有限公司 main business:半导体芯片的研发、生产、销售和信息咨询服务；半导体材料、集成电路、电子产品、电气设备、器件及相关设备的研发、销售和信息咨询服务；货物及技术的进出口业务，法律、行政法规规定前置许可经营、禁止经营的除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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苏州能讯高能半导体有限公司的工商信息
- 320583000483854
- 913205835823362753
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司
- 2011年09月22日
- 张乃千
- 27900.000000
- 2011年09月22日 至 永久
- 昆山市市场监督管理局
- 2016年04月07日
- 玉山镇晨丰路18号
- 半导体芯片的研发、生产、销售和信息咨询服务；半导体材料、集成电路、电子产品、电气设备、器件及相关设备的研发、销售和信息咨询服务；货物及技术的进出口业务，法律、行政法规规定前置许可经营、禁止经营的除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
苏州能讯高能半导体有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | www.dynax-semi.com |
苏州能讯高能半导体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106257686A | 半导体器件及其制造方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底以及位于衬底上的外延结构，外延结构上包 |
| 2 | CN106257053A | 一种水泵运行状态的检测方法、装置及系统 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种水泵运行状态的检测方法、装置及系统，其中方法包括：在水泵运行后，实时获取流量计通过测 |
| 3 | CN106252288A | 半导体芯片、半导体晶圆及制造方法 | 2016.12.21 | 本发明提供了一种半导体芯片、半导体晶圆及制造方法，所述半导体芯片包括基底、基于基底一侧制作的半导体层 |
| 4 | CN106253866A | 一种功率放大器 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种功率放大器，包括：至少一个放大模块；分别连接于至少一个放大模块输入端的输入匹配网络； |
| 5 | CN106252310A | 半导体器件及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：制备在一种衬底的其中一个表面上的半导 |
| 6 | CN106249001A | 一种测试板 | 2016.12.21 | 本发明实施例提供一种测试板。该测试版包括若干管脚，若干管脚被划分为两列，每列管脚均包括电流检测管脚和 |
| 7 | CN106252303A | 一种半导体器件及其制备方法 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括半导体层；位于所述半导体层上的电极；位于 |
| 8 | CN106252290A | 封装外壳及应用该封装外壳的电子元件 | 2016.12.21 | 本发明涉及微电子、半导体及通信领域，具体而言，涉及一种封装外壳，该封装外壳包括输入引线、输出引线、输 |
| 9 | CN106253915A | 一种手持设备 | 2016.12.21 | 本发明公开一种手持设备，包括：GaN射频功率放大器、电池单元、电池管理单元、数字处理单元、发射机和天 |
| 10 | CN106252293A | 封装外壳及应用该封装外壳的电子元件 | 2016.12.21 | 本发明涉及微电子、半导体及通信领域，具体而言，涉及一种封装外壳，该封装外壳包括输入引线、输出引线、输 |
| 11 | CN106253873A | 一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块，包括：信号输入端和信号输出端；设置于信号输入端与信 |
| 12 | CN106253863A | 一种功放阻抗自动调节电路及功放电路 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种功放阻抗自动调节电路及功放电路，其中，功放阻抗调节电路包括单片机、预设检测单元、第一 |
| 13 | CN106252388A | 半导体晶圆及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明实施例提供一种半导体晶圆及其制造方法。所述半导体晶圆包括多个间隔设置的芯片，以及间隔设置在相邻 |
| 14 | CN104393037B | 一种亚微米栅长GaN HEMT器件及其制备方法 | 2017.05.03 | 一种亚微米栅长GaN HEMT器件及其制备方法，该制备方法是通过光学光刻和选择性刻蚀确定栅长，然后采 |
| 15 | CN106549640A | 一种预失真驱动电路 | 2017.03.29 | 本发明实施例公开了一种预失真驱动电路，该预失真驱动电路包括：输入信号处理电路，用于对输入信号进行处理 |
| 16 | CN106533461A | 一种基站发射系统 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种基站发射系统，包括：电源模块、至少一个电荷泵与旁路开关模块、至少一个降压模块、至少一 |
| 17 | CN106531605A | 一种离子注入设备及系统 | 2017.03.22 | 本发明提供了一种离子注入设备及系统，该离子注入设备包括离子源腔室、加速管、磁分选仪、隔离腔室以及目标 |
| 18 | CN106499617A | 一种空压机节能调控方法、装置及系统 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种空压机节能调控方法、装置及系统，其中，方法包括：空压机加载后，实时获取预测容积储气罐 |
| 19 | CN103633046B | 半导体器件及其制造方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底背面设有接地电极；位于衬底上的半导 |
| 20 | CN206018584U | 一种蒸汽锅炉补水系统 | 2017.03.15 | 本实用新型公开了一种蒸汽锅炉补水系统，包括补水箱、锅炉，所述补水箱与所述锅炉之间连接有补水管路，所述 |
| 21 | CN102810564B | 一种射频器件及其制作方法 | 2017.03.15 | 一种射频器件，该射频器件的氮化物势垒层具有两层富铝氮化物，其中铝的含量超过75%。第二氮化物层为含硅 |
| 22 | CN104113289B | 一种微波集成放大器电路及其制作方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种微波集成放大器电路及其制作方法，其中，所述微波集成放大器电路包括：氮化镓高电子迁移率 |
| 23 | CN106341090A | 一种功率放大电路 | 2017.01.18 | 本发明公开了一种功率放大电路，该功率放大电路包括：电连接于功率放大电路的射频干路中的输入偏置电路、输 |
| 24 | CN106301235A | 一种通信信号数字预失真的方法、装置、芯片及电路 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种通信信号数字预失真的方法、装置、芯片及电路，其中所述方法包括：对中频反馈信号和与所述 |
| 25 | CN106301234A | 一种多尔蒂功放的控制方法和装置 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种多尔蒂功放的控制方法和装置，其中方法包括：获取多尔蒂功放的输出状态，所述多尔蒂功放包 |
| 26 | CN106298882A | 高电子迁移率晶体管器件及其制造方法 | 2017.01.04 | 一种高电子迁移率晶体管器件，涉及半导体技术领域，该器件的第一介质层位于栅极与源极、漏极之间的半导体层 |
| 27 | CN106298905A | 一种半导体器件及其制造方法 | 2017.01.04 | 一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底；位于衬底上的半导体层；位于半导 |
| 28 | CN106299071A | 氮化镓芯片及其制备方法 | 2017.01.04 | 本发明提供了一种氮化镓芯片及其制备方法，所述氮化镓芯片包括氮化物半导体层、散热衬底、保护层，所述氮化 |
| 29 | CN106301433A | 一种智能手持设备 | 2017.01.04 | 本发明公开一种智能手持设备，包括：GaN射频功率放大器、电池单元、升降压单元、电池管理单元、数字处理 |
| 30 | CN105932969A | 一种高效率功率放大器 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种高效率功率放大器。该功率放大器包括依次电连接的增益控制电路、输入匹配网络、放大模块和 |
| 31 | CN105895686A | 高电子迁移率晶体管器件及其制造方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管器件及其制造方法，所述高电子迁移率晶体管器件包括：衬底；位于所述衬 |
| 32 | CN105895684A | 一种半导体器件及其制造方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层 |
| 33 | CN105895667A | 一种半导体器件及其制造方法 | 2016.08.24 | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基底；位于半导体基底上的有源区 |
| 34 | CN105895571A | 一种真空吸笔 | 2016.08.24 | 本发明涉及晶圆生产设备技术领域，尤其涉及一种真空吸笔。真空吸笔包括真空吸笔主体和真空吸头，所述真空吸 |
| 35 | CN105633144A | 一种半导体器件及其制备方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括衬底；位于衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的 |
| 36 | CN105450189A | 一种手机发射系统 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种手机发射系统，包括：GaN射频功率放大器、GaN智能升压及调制电源模块、数字处理单元 |
| 37 | CN105322892A | 一种基于薄膜体声波谐振器谐波调谐放大器 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种基于薄膜体声波谐振器谐波调谐放大器，包括：底座、放大模块、信号输入端、信号输出端以及 |
| 38 | CN105322007A | 基于金刚石衬底的氮化物结构、制备方法及半导体器件 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种基于金刚石衬底的氮化物结构、制备方法及半导体器件，所述氮化物结构包括金刚石衬底；位于 |
| 39 | CN105322895A | 一种偏置自适应内匹配功放管及基于该功放管的功放模块 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种偏置自适应内匹配功放管及基于该功放管的功放模块。该功放管包括功率芯片、内匹配电容、管 |
| 40 | CN105321993A | 一种半导体器件及其制备方法 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层中包 |
| 41 | CN105141278A | 一种晶体管与薄膜体声波谐振器集成的放大模块 | 2015.12.09 | 本发明公开了一种晶体管与薄膜体声波谐振器集成的放大模块，包括晶体管和至少一组薄膜体声波谐振器，所述晶 |
| 42 | CN105140281A | 一种半导体器件及其制造方法 | 2015.12.09 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体层；位于半导体层之上的源极和漏极，以 |
| 43 | CN105141262A | 一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块 | 2015.12.09 | 本发明公开了一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块。该放大模块应用于F类功率放大器或逆F类功率放 |
| 44 | CN104881508A | 一种基于查表法的半导体器件的建模方法和系统 | 2015.09.02 | 本发明公开了一种基于查表法的半导体器件的建模方法和系统，该方法包括：根据至少一个半导体单胞器件的本征 |
| 45 | CN104465746A | 一种HEMT器件及其制造方法 | 2015.03.25 | 本发明公开了一种HEMT器件及其制造方法。该器件包括衬底；有源区，形成于衬底上；势垒区，形成于有源区 |
| 46 | CN104409431A | 一种半导体器件 | 2015.03.11 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底，位于衬底上的多层半导体层，多层半导体层包括有源区和无源区，位于 |
| 47 | CN104393037A | 一种亚微米栅长GaN HEMT器件及其制备方法 | 2015.03.04 | 一种亚微米栅长GaN HEMT器件及其制备方法，该制备方法是通过光学光刻和选择性刻蚀确定栅长，然后采 |
| 48 | CN102723358B | 绝缘栅场效应晶体管及其制造方法 | 2015.01.07 | 本发明公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制造方法。通过在氮化物晶体管结构上生长介质层时引入金属的方法， |
| 49 | CN104113289A | 一种微波集成放大器电路及其制作方法 | 2014.10.22 | 本发明公开了一种微波集成放大器电路及其制作方法，其中，所述微波集成放大器电路包括：氮化镓高电子迁移率 |
| 50 | CN104049666A | 一种二端恒流器件 | 2014.09.17 | 本发明公开了一种二端恒流器件，包括第一耗尽型晶体管和电阻，所述第一耗尽型晶体管的源极与所述电阻的第一 |
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